需强调的是,上述套刻精度标准是基于单次曝光而言。
实际情况中,阿斯麦跳过了65纳米光刻机直接进入浸没式技术,用于32纳米、28纳米芯片的大规模生产。不过,历史资料显示,该公司曾探索使用数值孔径为0.93的65纳米干式光刻机,通过双重曝光技术实现40纳米分辨率,这在2006年的IEEE会议上有论文记载。
该研究指出,对于0.93数值孔径的65纳米光刻机,单次曝光要求的套刻精度为8纳米,而在双重曝光模式下,要求进一步提高到5.6纳米。这意味着,即便是8纳米套刻精度,在双重曝光至40纳米分辨率的需求面前也显得不够。况且,40纳米仅是浸没式光刻机单次曝光的水平。
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