台积电首次公布2nm制程指标 性能与功耗显著提升
台积电首次公布2nm制程指标。在AI领域，NVIDIA表现出色；而在晶圆制造领域，台积电同样取得了显著成功。特别是在5nm和3nm制程时代，台积电几乎独占鳌头，其先进制程的产能饱满，营收持续增长。接下来，台积电将重点发展2nm制程技术，预计在性能和功耗方面都将有显著提升。
在IEEE国际电子设备会议上，台积电展示了其在半导体制造领域的最新进展，其中2nm制程的性能和技术指标备受关注。与现有的3nm制程相比，2nm制程在相同功耗下性能可提升15%，而在同等性能下，功耗则可降低24%-35%。这一性能参数对于未来的高性能AI芯片尤为重要，因为更低的功耗意味着更佳的能耗表现。
FinFET晶体管在过去非常成功，但在更先进的制程上已显不足。因此，台积电转向了新的晶体管技术，这种新技术在低电压下可以实现75%的能耗下降，并且晶体管密度也有所提高。
除了2nm制程，台积电还开始了1nm以下晶体管的研发工作，尽管目前仍处于早期阶段，距离量产和商用还有很长的路要走。随着2nm甚至1nm制程的逐步落地，未来芯片的成本可能会进一步上升，这也将导致终端产品价格的上涨。
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