光刻机技术长久以来是我国科技领域的一大难题,美荷等国曾利用技术封锁企图制约我国发展。然而,近期中国在光刻机技术上实现了突破,并完成了半导体产业链的闭环,成为全球首个拥有完整生产线的国家。
面对封锁,中国并未屈服,反倒是将其转化为了技术飞跃的动力。今年9月,工信部发布的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,国产光刻机的身影赫然在目,包括110nm的氟化氪光刻机与65nm的氟化氩光刻机,这一成就颠覆了外界对中国光刻机制造能力的认知,标志着从“造不出”到成功量产的巨大转折。
中国在光刻机产业上的崛起,经历了从落后到并跑乃至局部领先的艰难历程,自主研发的光刻机如同宣言,向世界展示了中国科技的力量。尽管与国际顶尖如ASML尚存差距,但每一步前进都是胜利的累积,中国有信心逐步缩小直至超越,实现半导体技术的全球引领。
国际社会对中国此番突破的反响复杂多变,尤其是光刻机技术领先的美荷两国,表面上的平静难掩内心的忧虑。中国技术的突破预示着全球半导体产业格局的潜在变动,可能促使原有产业链面临重组,同时激发全球范围内的技术创新与竞争。
“我国自主创新事业是大有可为的!我国广大科技工作者是大有作为的!”今天重温习近平总书记在两院院士大会中国科协第十次全国代表大会上的讲话。
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