中国存储芯片会否重演“面板逆袭” 国产替代加速突破
中国存储芯片会否重演“面板逆袭” 国产替代加速突破。在当今的数字世界中，芯片产业被誉为现代工业的心脏。存储芯片和光刻胶作为其中的关键领域，正成为最具潜力的增长点。存储芯片是电子设备的记忆仓库，随着人工智能和云计算的爆发，全球数据量激增，对存储芯片的需求持续增长。光刻胶则被称作芯片制造的精密画笔，其性能直接决定了芯片的尺寸和性能。
目前，这两个市场高度垄断。全球存储芯片市场主要由三星、海力士和美光主导，高端光刻胶市场则被日本JSR、信越化学和美国杜邦等企业控制。但这种局面为中国公司提供了逆袭的机会。
过去三年，中国存储芯片取得了显著进展。长江存储研发出294层3D NAND闪存，追平国际一线水平；长鑫存储实现了DDR5内存芯片量产，打破了国外垄断。产业链配套也不断完善，材料、设备和设计全链条实现突破，自主率持续提升。按国家规划，到2027年中国存储芯片自给率要达到70%。
光刻胶市场方面，低端产品国产化率已达60%以上，中端产品约30%，高端产品不足5%。最关键的是EUV光刻胶，这是制造7nm以下芯片的必需材料。目前全球只有三家公司能生产，全部在日本。但国内企业已建成中试线，预计2-3年内实现量产。
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