我国研发全新架构闪存芯片 创新突破引领未来
我国研发全新架构闪存芯片 创新突破引领未来！10月10日，复旦大学科院团队在二维闪存技术领域取得新突破。10月8日晚，该团队在国际顶级期刊《自然》上发表了一项研究成果，题为《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》，这一成果为应对摩尔定律物理极限挑战提供了全新解决方案。
面对传统硅基芯片性能逼近极限的困境，原子级厚度的二维半导体被国际学界视为破局关键。复旦大学集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森团队提出“长缨（CY-01）架构”，将超快闪存器件“破晓”与成熟硅基CMOS工艺深度融合，以“先分后合”策略实现二维材料与硅基电路的高效集成，芯片良率达到94.3%。
该芯片支持8-bit指令操作与32-bit高速并行处理，性能远超现有闪存技术。研究团队表示，这一“源技术”有望颠覆传统存储架构，为人工智能、大数据等领域提供更高速、低能耗的存储方案。未来，团队计划通过产学研协同合作，推动这项技术走向市场。
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