中国又一家芯片牛企硬核出世 氮化镓王者崛起!氮化镓作为第三代半导体材料的代表,被誉为“半导体游戏规则的改变者”。2015年,前NASA科学家骆薇薇回国创业,如今她已成为全球氮化镓芯片领域的领军人物。
AI的发展带来了用电挑战与变革。英伟达决定将数据中心电力系统从54V直流架构升级到800V高压直流架构,以满足日益增长的AI算力需求。2023年8月,英伟达公布了合作伙伴名录,其中最年轻的入选企业是中国的英诺赛科。英诺赛科在官网表示,其第三代氮化镓GaN芯片具备高频、高效率与高功率密度等特性,能够为英伟达800VDC架构提供全链路氮化镓电源解决方案。
氮化镓芯片具有高功率、低能耗和体积小的特点,适用于AI时代的数据中心。成立于2015年的英诺赛科目前在全球氮化镓功率半导体市场份额排名第一,市占率达42.4%。公司创始人骆薇薇曾在NASA工作15年,从项目经理做到首席科学家。2014年,美国纳微半导体成为全球首个推出氮化镓功率芯片的公司,骆薇薇认为这是中国实现芯片赶超的机会,于是决定回国创业。
2015年12月,骆薇薇在珠海高新区成立了英诺赛科,注册资本10亿人民币。尽管面临研发难、融资难和建厂难等问题,但她依然充满信心。骆薇薇选择了IDM全产业链模式,设计、制造、销售都掌握在自己手中,解决了氮化镓芯片大规模推广的价格、量产和供应链保障问题。公司还决定直接制造领先业界的8英寸晶圆,这比6英寸晶圆能多产出80%的晶粒,降低成本30%。
经过两年的努力,英诺赛科攻克了多项技术难关,成功掌握了8英寸硅基氮化镓外延技术和器件制造工艺流程。2017年11月,公司建成了中国首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片生产线。2020年夏天,产品良率达到92%。2021年6月,英诺赛科(苏州)半导体公司举行了量产暨研发楼奠基仪式,标志着全球最大的氮化镓生产基地正式投产。
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