7月16日,长鑫科技正式开启科创板申购,发行价8.66元,募资规模295亿元,成为2026年A股最大IPO,科创板历史第二。尽管长鑫存储尚未正式挂牌(定于7月27日),但其估值已接近六千亿元。
很多人可能对“长鑫存储”这个名字不太熟悉,但如果最近一两年装过机或买过国产内存条,很可能已经用过它的颗粒。借助长鑫上市这一契机,可以更深入地了解整个国产存储的版图。
存储芯片分为三个主要赛道:DRAM、NAND Flash和NOR Flash。每个赛道的技术路线、市场格局和国产化进程都有所不同。
DRAM是手机和电脑的运行内存,断电后数据消失,但读写速度快、延迟低。全球市场规模大,技术壁垒高,长期被三星、SK海力士和美光垄断,合计占据九成以上市场份额。长鑫存储专注于DRAM领域,且正在量产17nm工艺的DDR5和LPDDR5。预计到2025年,长鑫在全球DRAM市场的份额将达到7.67%,排名第四。虽然技术水平与海外巨头有一定差距,但长鑫已经在主流消费级和服务器市场取得突破。
NAND Flash即闪存,用于SSD和手机存储,断电后数据保留,容量大且单位成本低。该领域同样由三星、SK海力士、美光和西部数据主导,国内对应的是长江存储。长江存储的核心技术是自研的Xtacking架构,232层3D NAND已经量产,技术参数处于全球第一梯队。根据UBS的数据,2025年长江存储的全球NAND市场份额约为11.8%,排名第四。此外,长江存储还推出了面向消费者的零售品牌——致钛,目前在国内固态硬盘市场占有率达到15%左右。
NOR Flash主要用于小容量代码存储,读取速度快但容量有限,适用于设备启动程序和固件代码。这个赛道体量较小,但兆易创新已做到全球前三。兆易创新不仅做NOR Flash,还涉足SLC NAND、利基型DRAM以及MCU,产品线广泛,主要针对汽车电子、工业控制和物联网等细分市场。
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