BCD工艺站上风口 需求旺盛订单满。近日,中芯国际联合CEO赵海军在2026年一季度财报说明会上强调,车规模拟BCD平台需求旺盛、订单饱满,公司正将产能持续向BCD、存储等需求旺盛的平台倾斜。这一发言再次点燃了半导体行业对这项成熟工艺的关注。
从2025年底至今,BCD涨价的消息在圈内持续发酵。中芯国际、华虹、世界先进、联电等行业主要晶圆代工厂纷纷对8英寸BCD工艺代工价格进行调整,涨幅普遍在10%-15%之间,市场甚至将这股势头称为BCD工艺的全面抢购潮。
在先进制程竞赛愈演愈烈的当下,这项诞生于40年前的“老工艺”突然成为晶圆厂争相抢占的高价值产能。它为何能在AI算力革命和新能源汽车普及的浪潮中站在舞台中央?
BCD工艺,全称Bipolar-CMOS-DMOS工艺,是一种将双极型晶体管(Bipolar)、互补金属氧化物半导体(CMOS)和双扩散金属氧化物半导体(DMOS)集成在同一芯片上的混合工艺技术。在BCD技术问世前,电源管理、电机驱动等系统面临多芯片分立方案,导致体积庞大、成本高昂且可靠性降低。BCD工艺的核心理念是让这三种性能迥异的器件在同一颗芯片上协同工作,各司其职。
BCD工艺实现了从多芯片拼凑到单芯片系统的跨越,实现了模拟感知+数字控制+功率执行的全功能集成。相比传统分立方案,BCD工艺的优势是系统性的,实现了更高效率、更小系统体积、更低损耗和更高可靠性的整体跃升,成为连接高压功率驱动端与低压数字控制端的底层支撑技术。
1985年前后,意大利SGS微电子(意法半导体ST前身)攻克工艺兼容难题,研制出全球首套BCD工艺,并推出首款产品L6202电机全桥驱动器。如今,BCD技术已发展到40纳米乃至更先进节点。意法半导体目前已开发至第九代0.11微米BCD工艺和第十代90纳米工艺。华虹半导体提供覆盖1.8V至700V的BCD工艺平台,芯联集成则拥有国内最完整的车规级BCD工艺体系,覆盖55纳米至0.18微米工艺节点,支持5V至650V的高压应用。
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