我国半导体制造核心技术突破 自主芯片性能优化，打破国外垄断
9月11日，国家电力投资集团有限公司宣布，其下属公司国电投核力创芯（无锡）科技有限公司最近成功向客户交付了首批经过氢离子注入性能优化的芯片产品。这一成就意味着我国现已全面掌握了半导体领域中高能氢离子注入的核心技术与工艺，填补了国内半导体产业链中的一个重要空白。这为将来半导体离子注入设备和工艺实现全面国产化铺平了道路。
国家电投强调，氢离子注入作为半导体晶圆制造的关键步骤，对包括集成电路、功率半导体、第三代半导体在内的多种半导体产品的生产至关重要。长久以来，该技术及相应设备的缺乏限制了我国半导体行业向高端领域的发展，特别是对于600V以上高压功率芯片，我国一直依赖进口。核力创芯的这一技术突破，有效打破了国外在此领域的垄断局面。
成立不足三年的核力创芯，已接连攻克数项技术难关，不仅实现了技术100%自研，还达成了装备100%国产化，建立起国内首个结合核技术应用与半导体研究的交叉学科平台。此次交付的芯片产品，经过了接近万小时的严格工艺和可靠性测试，其核心性能指标已媲美国际先进水平，赢得了用户的高度赞扬。
进一步信息显示，国电投核力创芯（无锡）科技有限公司成立于2021年3月9日，坐落于江苏无锡，注册资本为7022.63万元。
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