中华网

设为书签Ctrl+D将本页面保存为书签,全面了解最新资讯,方便快捷。
军事APP
当前位置:新闻 > 社会新闻 > 社会新闻更多页面 > 正文

微电子学家陈星弼院士去世 发明超结结构被赞里程碑

微电子学家陈星弼院士去世 发明超结结构被赞里程碑
2019-12-05 14:27:31 新浪科技

    微电子学家陈星弼院士去世 发明超结结构被赞里程碑

    微电子学家陈星弼院士去世 发明超结结构被赞里程碑

    原标题:我国著名微电子学家陈星弼院士去世:里程碑发明

    据中科院消息,2019年12月4日17时10分,“中国功率器件领路人”陈星弼在四川成都逝世,享年89岁。

    陈星弼,半导体器件及微电子学专家,中国科学院院士,电子科技大学教授、博士生导师,中国电子学会会员,美国IEEE高级终身会员。

    1931年1月28日出生于上海,1952年毕业于国立同济大学电机系,先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作,1956年开始在电子科技大学任教,1980年美国俄亥俄州大学作访问学者,1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师,1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长1999年当选中国科学院院士。

    陈星弼是国际半导体界著名的超结结构(Super Junction)的发明人,该发明被称为“功率器件的新里程碑”。

    2018年,在功率半导体领域最顶级的学术年会上,陈星弼院士入选ISPSD首届名人堂,这是国内首位获此殊荣的华人科学家。

      (责任编辑:周晶晶 CN032)
      关键词:

      相关报道:

        关闭
         

        相关新闻