据快科技等报道，长江存储订购的这台光刻机采用193nm沉浸式设计，可生产20-14nm工艺的3D NAND闪存晶圆，售价达7200万美元，约合人民币4.6亿元。
目前，该机已经运抵武汉天河机场，相关入境手续办理完毕后，即可运至长江存储的工厂。
根据官网资料，2016年底，国家存储器基地项目（一期）一号生产和动力厂房在武汉正式开工建设，2017年9月底提前封顶，2018年4月5日首批价值400万美元的精密仪器进场安装。
▲国家存储器基地项目芯片生产机安装仪式（图片来源：长江存储官网）
目前，长江存储拥有完全自主知识产权的32层堆叠3D NAND闪存已经开始试产，不少产业链企业都拿到了样片测试，预计今年第四季度量产。同时，长江存储还在推进64层堆叠3D闪存，力争2019年底实现规模量产，将与世界领先水平差距缩短到2年之内。
中芯国际进军“7纳米”时代
每经小编（微信号：nbdnews）注意到，2000年成立的中芯国际（SMIC）总部位于上海。在港股上市的中芯国际据称是中国大陆规模最大、技术最先进的集成电路芯片制造企业之一。
据日经亚洲评论报道，尽管中芯国际在这一市场仍落后于市场领先者两至三代技术，但是购买到目前世界最先进的EUV光刻机，彰显了其努力追赶的决心。
▲阿斯麦官网产品示意图
每经小编（微信号：nbdnews）了解到，EUV是目前世界上最昂贵也是最先进的芯片生产工具。小于5纳米的芯片晶圆，目前只能用EUV光刻机生产。三星电子和台积电目前正竞争生产7纳米工艺技术芯片，这两家都订购了阿斯麦公司的EUV光刻机。
中芯国际这次引进的EUV光刻机预计将于2019年初交付。而在2017年3月，中芯国际宣布将进军7纳米工艺技术的研发。
有芯片行业高管表示，
“购买这样的机器虽然不能保证100%成功，但这至少显示了中芯国际自主研发的决心和动力。”
光学研究机构人士表示，
“这台光刻机一旦安装完成，将会极大缩短工艺时长，并且让厂商有能力尝试生产更复杂的高精度芯片。”
▲图片来源：摄图网（图文无关）
